IGBT模块型号：JT450N120F2MH1C

该模块为两单元ECONODUAL封装，电流为450A，电压为1200V，每个单元为3支IGBT以及3支FRD并联，IGBT、FRD均为1200V/150A的芯片。应用领域主要是新能源汽车以及工业变频。

IGBT模块型号：JT800N065F6MH2E

该模块为六单元HP-2封装，电流为800A，电压为650V，每个单元为4支IGBT以及4支FRD并联，IGBT、 FRD均为650V/200A的芯片。应用领域主要是新能源汽车领域。

IGBT模块型号：JT400N070F2MH4F

该模块为两单元刀锋模块封装，电流为400A，电压为700V，每个单元为2支IGBT以及2支FRD并联，刀锋式双面散热模块采用最先进的封装工艺，达到国际最领先水平，是未来新能源汽车电控系统的首选IGBT模块，全新封装设计，具有无引线封装、超薄结构、双面散热、可靠性高等多项技术特点。应用领域主要是新能源汽车领域。

新能源汽车风冷型控制器

该样机为新能源汽车风冷型控制器，采用3个两单元的IGBT模块作为逆变部分，IGBT模块为400A/650V的产品，该模块使用华微电子的650V/200A的IGBT芯片以及FRD芯片。

智能功率模块DIP23/SOP23--DIP29

  产品特点：
  1、 功率器件采用沟槽工艺, 模块IGBT采用Trench+Field-Stop技术。与传统技术相比，拖尾电流较小，进而降低关断损耗；
  2、低损耗，IGBT采用薄片工艺技术，使VCE(sat)更低，以降低导通损耗；
  3、高抗干扰度，驱动IC采用专门设计的抗dV/dT电路，dV/dT达到50V/ns；
  4、上下桥逻辑纠错，驱动IC内集成了互锁和死区电路，防止误导通；
  5、集成欠压保护，模拟温度输出，驱动IC内集成了8V欠压保护功能，集成了正温度系数的温度检测功能。

15KVA充电桩模块

该样机为15KVA充电桩模块，内部使用华微电子的75F120W、60F60W的FRD产品

Trench FS IGBT 产品产业化关键技术

    Trench-FS结构是IGBT器件发展过程中所提出的一类非常重要结构，其通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间具有很好的折中关系，可广泛应用于消费、工业控制等领域。迄今为止，市场上所见的Trench-FS IGBT产品都是如Infineon、Toshiba等国外大公司推出的，该结构的制作核心技术都掌握在这些国外大公司手里，国内的Planar结构的IGBT的商业化处于起步阶段，对Trench-FS结构IGBT的研制还处于摸索时期。 和国内某知名工厂合作，提出一种1200V Trench-FS IGBT器件的设计与制造方法，并且进行试验。文中围绕着1200V Trench-FS IGBT研制工作展开描述。 1、首先对IGBT及具有Trench-FS结构IGBT的工艺原理进行分析讨论，然后结合工艺线特点，进行Trench-FS结构IGBT的工艺流程、器件元胞与终端结构设计，其后完成版图并进行流片。所设计的工艺流程为：先进行背面FS层的制作，然后进行正面（元胞、终端）的制作，最后背面的P+注入，金属化。 2、对所研制的1200V Trench-FS IGBT器件进行了静态参数与动态参数的测试分析。测试结果为：耐压1288V、正向导通压降2.29V、阈值电压6.20V、开启延迟时间51.7ns、开启上升时间46.5ns、关断延迟时间173ns、关断下降时间101ns。该指标和国外同类产品的指标基本一致。 本文的研究成果对推动我国Trench-FS结构IGBT的产业化具有一定的作用，在完善工艺及结构的基础上，提高良率，最终可以很好的形成产品。