专家简介：

秦国刚，北京大学物理学院教授。1934年3月生于南京，原籍江苏昆山。1956年7月毕业于北京大学物理系，1961年2月研究生毕业于该系（固体物理方向）。长期从事半导体材料物理研究。 他和他带领的研究组在半导体杂质与缺陷和多孔硅与纳米硅镶嵌氧化硅发光领域做出系统的和创造性的成果，例如：在中子辐照含氢硅中检测到结构中含氢缺陷在导带以下0.20eV深能级，在国际上最早揭示硅中存在含氢深中心，提出的微观结构，被实验证实；发现退火消失温度原本不同的各辐照缺陷在含氢硅中变得基本相同；最早揭示氢能显著影响肖特基势垒高度。测定的硅中铜的深能级参数被国际权威性半导体数据专著采用。1993年对多孔硅与纳米硅镶嵌氧化硅光致发光提出量子限制－发光中心模型，成功解释大量实验，得到广泛支持；首次观察到p-Si衬底上氧化硅发光中心的电致发光现象。在此基础上，设计并研制出一系列硅基电致发光新结构，如：半透明金膜/纳米(SiO2/Si/SiO2)双垒单阱/p-Si等。发光波长从近红外延伸到近紫外。所提出的电致发光机制模型，被广泛引用。 获国家教委（教育部）科技进步一等奖和二等奖各一次，中科院自然科学奖二等奖一次；获物理学会2000-2001年度叶企孙奖。在国内外重要期刊上发表论文180余篇，其中SCI论文130余篇。