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主要技术参数：

多晶硅是单质硅的一种形态，灰色金属光泽。密度2.32-2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，是制备单晶硅和太阳能电池的原材料,是全球电子工业及光伏产业的基石。

按纯度要求不同，分为金属级、太阳能级和电子级。太阳能级多晶硅在国家军工、国防装备、铁路、公路建设、偏远无电牧区的使用上，降低了能耗，提高了效率，加快了绿色清洁能源的推广和普及。解决了大电网覆盖不到的边远地区农牧民的饮水、照明等生活问题，有效服务于节能环保型社会建设。

电子级多晶硅主要应用大飞机制造、特高压直流换流变、电子信息、航空航天等领域，有效提升了我国装备制造的国产化水平。电子级多晶硅已成为国家高新技术产业发展和科技水平提高的重要保障，对于国民经济发展和进步具有重大战略意义。